Microsemi / 2N6849
انځور د حوالې لپاره دی، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ ترڅو اصلي انځور ترلاسه کړئ
2N6849
| د تولید کونکي برخې شمیره: | 2N6849 |
| جوړونکی: | Microsemi |
| د تفصیل برخه: | MOSFET P-CH 100V 6.5A TO39 |
| د معلوماتو پاڼې: | 2N6849 د معلوماتو پاڼې |
| لیډ وړیا حالت / RoHS حالت: | لیډ وړیا / RoHS مطابقت لري |
| د سټاک حالت: | په ګدام کښي |
| له لیرې: | Hong Kong |
| د بار وړلو لاره: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- یادونه
- فعاله نیمه 2N6849 په chipnets.com کې شتون لري. موږ یوازې نوې او اصلي برخه پلورو او د 1 کال تضمین وخت وړاندیز کوو. که تاسو غواړئ د محصولاتو په اړه نور معلومات ترلاسه کړئ یا ډیر ښه نرخ غوښتنه وکړئ ، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ آنلاین چیٹ کلیک وکړئ یا موږ ته نرخ واستوئ.
ټول بریښنایی اجزا به په خورا خوندي ډول د ESD ضد سټیټیک محافظت لخوا بسته شي.
مشخصات
| ډول | تفصیل |
|---|---|
| لړۍ | - |
| کڅوړه | Bulk |
| برخه حالت | Obsolete |
| د FET ډول | P-Channel |
| ټیکنالوژي | MOSFET (Metal Oxide) |
| د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) | 100 V |
| اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| د ډرایټ ولټاژ (لږ تر لږه Rds آن) | 10V |
| Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs | 320mOhm @ 6.5A, 10V |
| Vgs (th) (اعظمي) @ ID | 4V @ 250µA |
| د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs | 34.8 nC @ 10 V |
| Vgs (اعظمي) | ±20V |
| د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds | - |
| د FET ب .ه | - |
| د بریښنا تحلیل (مکس) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| د تودوخې چلول | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| د غونډلو ډول | Through Hole |
| د وړاندې کونکي توکي کڅوړه | TO-39 |
| کڅوړه / قضیه | TO-205AF Metal Can |
د سټاک حالت: په ورته ورځ بار وړل
لږ تر لږه: 1
| مقدار | د واحد قیمت | Ext. قیمت |
|---|---|---|
قیمت شتون نلري، مهرباني وکړئ RFQ |
||
د بار وړلو محاسبه
US $40 د FedEx لخوا.
په 3-5 ورځو کې راشي
ایکسپریس:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) په لومړي 0.5kg کې وړیا لیږد د 150 $ څخه ډیر امرونو لپاره ، ډیر وزن به په جلا توګه چارج شي
په کارټ کې اضافه شوی!
دا توکي ستاسو په کارټ کې اضافه شوي.