انځور د حوالې لپاره دی، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ ترڅو اصلي انځور ترلاسه کړئ

BSZ110N06NS3GATMA1

یادونه: فعاله نیمه BSZ110N06NS3GATMA1 په chipnets.com کې شتون لري. موږ یوازې نوې او اصلي برخه پلورو او د 1 کال تضمین وخت وړاندیز کوو. که تاسو غواړئ د محصولاتو په اړه نور معلومات ترلاسه کړئ یا ډیر ښه نرخ غوښتنه وکړئ ، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ آنلاین چیٹ کلیک وکړئ یا موږ ته نرخ واستوئ.

ټول بریښنایی اجزا به په خورا خوندي ډول د ESD ضد سټیټیک محافظت لخوا بسته شي.

package

مشخصات

ډول	تفصیل
لړۍ	OptiMOS™
کڅوړه	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
برخه حالت	Active
د FET ډول	N-Channel
ټیکنالوژي	MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss)	60 V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C	20A (Tc)
د ډرایټ ولټاژ (لږ تر لږه Rds آن)	10V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs	11mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID	4V @ 23µA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (اعظمي)	±20V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds	2700 pF @ 30 V
د FET ب .ه	-
د بریښنا تحلیل (مکس)	2.1W (Ta), 50W (Tc)
د تودوخې چلول	-55°C ~ 150°C (TJ)
د غونډلو ډول	Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه	PG-TSDSON-8
کڅوړه / قضیه	8-PowerVDFN

د پیرودلو اختیارونه

د سټاک حالت: 21581

لږ تر لږه: 1

مقدار	د واحد قیمت	Ext. قیمت
قیمت شتون نلري، مهرباني وکړئ RFQ

د بار وړلو محاسبه

US $40 د FedEx لخوا.

په 3-5 ورځو کې راشي

ایکسپریس:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) په لومړي 0.5kg کې وړیا لیږد د 150 $ څخه ډیر امرونو لپاره ، ډیر وزن به په جلا توګه چارج شي

مشهور ماډلونه

	BSZ130N03LSGATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ120P03NS3EGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ130N03MSG Rochester Electronics
	BSZ110N06NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ16DN25NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ105N04NSGATMA1 Rochester Electronics
	BSZ160N10NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ12DN20NS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ100N06LS3GATMA1 IR (Infineon Technologies)
	BSZ180P03NS3EGATMA1 IR (Infineon Technologies)

دا توکي ستاسو په کارټ کې اضافه شوي.