انځور د حوالې لپاره دی، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ ترڅو اصلي انځور ترلاسه کړئ

TPN4R712MD,L1Q

د تولید کونکي برخې شمیره:	TPN4R712MD,L1Q
جوړونکی:	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
د تفصیل برخه:	MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
د معلوماتو پاڼې:	TPN4R712MD,L1Q د معلوماتو پاڼې
لیډ وړیا حالت / RoHS حالت:	لیډ وړیا / RoHS مطابقت لري
د سټاک حالت:	په ګدام کښي
له لیرې:	Hong Kong
د بار وړلو لاره:	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

یادونه: فعاله نیمه TPN4R712MD,L1Q په chipnets.com کې شتون لري. موږ یوازې نوې او اصلي برخه پلورو او د 1 کال تضمین وخت وړاندیز کوو. که تاسو غواړئ د محصولاتو په اړه نور معلومات ترلاسه کړئ یا ډیر ښه نرخ غوښتنه وکړئ ، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ آنلاین چیٹ کلیک وکړئ یا موږ ته نرخ واستوئ.

ټول بریښنایی اجزا به په خورا خوندي ډول د ESD ضد سټیټیک محافظت لخوا بسته شي.

package

مشخصات

ډول	تفصیل
لړۍ	U-MOSVI
کڅوړه	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
برخه حالت	Active
د FET ډول	P-Channel
ټیکنالوژي	MOSFET (Metal Oxide)
د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss)	20 V
اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C	36A (Tc)
د ډرایټ ولټاژ (لږ تر لږه Rds آن)	2.5V, 4.5V
Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs	4.7mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs (th) (اعظمي) @ ID	1.2V @ 1mA
د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs	65 nC @ 5 V
Vgs (اعظمي)	±12V
د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds	4300 pF @ 10 V
د FET ب .ه	-
د بریښنا تحلیل (مکس)	42W (Tc)
د تودوخې چلول	150°C (TJ)
د غونډلو ډول	Surface Mount
د وړاندې کونکي توکي کڅوړه	8-TSON Advance (3.3x3.3)
کڅوړه / قضیه	8-PowerVDFN

د پیرودلو اختیارونه

د سټاک حالت: 6602

لږ تر لږه: 1

مقدار	د واحد قیمت	Ext. قیمت
قیمت شتون نلري، مهرباني وکړئ RFQ

د بار وړلو محاسبه

US $40 د FedEx لخوا.

په 3-5 ورځو کې راشي

ایکسپریس:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) په لومړي 0.5kg کې وړیا لیږد د 150 $ څخه ډیر امرونو لپاره ، ډیر وزن به په جلا توګه چارج شي

مشهور ماډلونه

	TPN4R203NC,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R712MD,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R303NL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
	TPN4R806PL,L1Q Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

دا توکي ستاسو په کارټ کې اضافه شوي.