Rectron USA / RM12N650IP
انځور د حوالې لپاره دی، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ ترڅو اصلي انځور ترلاسه کړئ
RM12N650IP
| د تولید کونکي برخې شمیره: | RM12N650IP |
| جوړونکی: | Rectron USA |
| د تفصیل برخه: | MOSFET N-CH 650V 11.5A TO251 |
| لیډ وړیا حالت / RoHS حالت: | لیډ وړیا / RoHS مطابقت لري |
| د سټاک حالت: | په ګدام کښي |
| له لیرې: | Hong Kong |
| د بار وړلو لاره: | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- یادونه
- فعاله نیمه RM12N650IP په chipnets.com کې شتون لري. موږ یوازې نوې او اصلي برخه پلورو او د 1 کال تضمین وخت وړاندیز کوو. که تاسو غواړئ د محصولاتو په اړه نور معلومات ترلاسه کړئ یا ډیر ښه نرخ غوښتنه وکړئ ، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ آنلاین چیٹ کلیک وکړئ یا موږ ته نرخ واستوئ.
ټول بریښنایی اجزا به په خورا خوندي ډول د ESD ضد سټیټیک محافظت لخوا بسته شي.
مشخصات
| ډول | تفصیل |
|---|---|
| لړۍ | - |
| کڅوړه | Tube |
| برخه حالت | Active |
| د FET ډول | N-Channel |
| ټیکنالوژي | MOSFET (Metal Oxide) |
| د سرچینې ولټاژ ته ډوب (Vdss) | 650 V |
| اوسنی - دوامداره ډرین (ID) @ 25 ° C | 11.5A (Tc) |
| د ډرایټ ولټاژ (لږ تر لږه Rds آن) | 10V |
| Rds آن (اعظمي) @ ID ، Vgs | 360mOhm @ 7A, 10V |
| Vgs (th) (اعظمي) @ ID | 4V @ 250µA |
| د ګیټ چارج (Qg) (اعظمي) @ Vgs | - |
| Vgs (اعظمي) | ±30V |
| د ننوت ظرفیت (سیس) (میکس) @ Vds | 870 pF @ 50 V |
| د FET ب .ه | - |
| د بریښنا تحلیل (مکس) | 101W (Tc) |
| د تودوخې چلول | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| د غونډلو ډول | Through Hole |
| د وړاندې کونکي توکي کڅوړه | TO-251 |
| کڅوړه / قضیه | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
د سټاک حالت: په ورته ورځ بار وړل
لږ تر لږه: 1
| مقدار | د واحد قیمت | Ext. قیمت |
|---|---|---|
قیمت شتون نلري، مهرباني وکړئ RFQ |
||
د بار وړلو محاسبه
US $40 د FedEx لخوا.
په 3-5 ورځو کې راشي
ایکسپریس:(FEDEX, UPS, DHL, TNT) په لومړي 0.5kg کې وړیا لیږد د 150 $ څخه ډیر امرونو لپاره ، ډیر وزن به په جلا توګه چارج شي
مشهور ماډلونه
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
 |
Rectron USA |
په کارټ کې اضافه شوی!
دا توکي ستاسو په کارټ کې اضافه شوي.